Методом инфракрасной спектроскопии изучены процессы дефектообразования в кремнии, легированном оловом и марганцем и их взаимодействия с неконтролируемыми примесями. Обнаружено, что присутствие примесей переходных и изовалентных элементов приводит к уменьшению концентрации технологических примесей - кислорода и углерода. Установлено, что введение марганца в Si приводит к сильному уменьшению концентрации междоузельного оптически активного кислорода NOопт: в быстро охлажденных образцах Si наблюдается уменьшение NOопт на 50% по сравнению с исходным Si.