В настоящей статье рассматривается многофункциональный датчик на основе полевого транзистора с р-n-переходом. Датчик позволяет регистрировать температуру, интенсивность света, давление с высокой чувствительностью. При этом обеспечение чувствительности структуры к внешним воздействиям, практически решено за счет конструктивных изменений. Благодаря конструктивным решениям, предложенный датчик на основе полевого транзистора значительно превосходит по чувствительности аналогичные диодные структуры.