7 декабр 2019
5Asosiy til:Rus
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ РОДИЯ И ИРИДИЯ НА ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Si-SiО2 СТРУКТУР
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Обнаружено, что легирование полупроводниковой подложки атомами Rh и Ir ведет к увеличению значений плотности поверхностных состояний на границе раздела Si-SiO2. Определено, что поверхностные состояния, обусловленные наличием примеси Rh и Ir, являются эффективными генерационными центрами
MUALIFLAR
X.Mansurov
K.Daliev
Национальный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека
SH.Yulchiev
Teglar
# полупроводник# подложка# substrate# silicon# кремний# semiconductor# кремний-диоксид# амфотерная примесь# родий# иридий# silicon dioxide# amphoteric impurity# rhodium# iridium
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
Физика полупроводников и микроэлектроника