В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы