В работе рассмотрено влияние ультразвуковых волн на фотоэлектрические и спектральные характеристики диффузионных Si-приемников электромагнитного излучения. Установлено, что при ультразвуковом облучении происходит увеличение времени жизни, диффузионной длины носителей и, как следствие, рост эффективности собирания носителей на электрические контакты Si-приемников. В результате этих процессов наблюдается повышение величины тока короткого замыкания, что вызывает рост напряжения холостого хода и коэффициента полезного действия такой диффузионной Si-структуры, работающей в режиме фотопреобразования