1. Усмонов Ш.Н., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю. ФТТ, 2014, том 56, вып. 12, ст. 2319-2325. 2. Саидов А.С., Усмонов Ш.Н., Амонов К.А. Альтьернативная энергетика и экология. №15. №137. 2013. ст. 41-45. 3. Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю., Каланов М.У., Усмонов Ш.Н., Бобоев А.Й. ФТП. 2016,Т.50, Вып.1, С. 60-66. 4. Zainabidinov S., Kalanov M., Boboev A. Proceedings of international conference fundamental and applied problems of physics. (Tashkent 2017, June 13-14.). pp. 107-110. 5. Saidov A. S., Zainabidinov S. Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp. 206-208. 6. Akramjon Boboev, Makhmud Kalanov and Sirojiddin Zainabidinov. Mediterranean Journal of Physics 2016, 1(1), рр. 12-15. 7. Boboev A.Y., Kalanov M.U., Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu. ДАН РУз, 2016, № 5, ст.15-18. 8. Шутов С. В. Материалы для электронных компонентов. 1999, № 5-6, ст. 48-50. 9. Ганина Н. В., Уфимцев В. Б., Фистуль В. И. Письма в ЖТФ. 1982. Т. 9, вып. 8. ст. 620-623. 10. Жиляк Г. А., Краснов В. А., Крижановский А. Н. и др. Полупроводни¬ковые материалы. М.: Гиредмет, 1992. Вып. 8. ст. 60-61. 11. Lifei Yu, Dechun Li , Shengzhi Zhao, Guiqiu Li and Kejian Yang. Materials, 2012, 5, pр. 2486-2497. 12. Saidov A.S., Boboev A.Y. Growth of solid solutions of replacement (GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 and (GaAs)0.76(ZnSe)0.15(Ge2)0.09 /The International Symposium “New Tendencies of Developing Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements, Prospectives” November 10-11, 2016. Р 178-180. 13. Саидов М.С. Избранные статьи. Тошкент 2010. с.13-17, с.17-24, с.23-24, с.38-43, с. 43-47, с. 78-81. 14. Sheng S.L. Semiconductor Physical Electronics. - Second Edition. - Springer, 2006. - 708 с. - ISBN 978-0387-28893-2.