1. Зайнобидинов С. Полупроводниковый кремний: современное состояние и перспектива. // Узб.физ.журнал.- 2005.- Т 7, в.4.- С.237-246 2. Технология СБИС. Под.ред. С.Зи. в 2-х книгах.- М.: Мир, 1986. 3. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике.- М.: Энергия, 1977.- 368 с. 4. Парчинский П.Б., Власов С.И. Генерационные характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло. // Микроэлектроника.- 2001.- Т.30, №6.- С.403-406 5. Франкомб М.Х., Джонсон Дж. Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. // Тр.науч.конф. «Физика тонких пленок».- М., 1972 .- С. 140-145 6. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Насиров А.А. Неравновесные процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик.- Т.: Университет, 1995.- 112 с. 7. Йулчиев Ш.Х. Влияние легированного кремния нетрадиционными примесями и ионизирующегооблучения на характеристики границы раздела Si-SiO2.Автореф. канд. дисс.- Андижан, 2003.