logo
calendar10 Dekabr 2019
view36
Asosiy til:Rus

РОЛЬ КОМПОНЕНТОВ МОП – СТРУКТУР В ФОРМИРОВАНИИ ИХ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Fan yo'nalishi:
pdf

5def4df8116a3.pdf

PDF

Илмий хабарнома

Илмий хабарнома

Maqola chop etishsee more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
Мақолада электрон қурилмалар ва интеграл схемалар таркибини ташкил этувчи моддаларни тузилиши, олиниш технологиялари ва физикавий-кимёвий ҳусусиятлари ҳақидаги маълумотлар таҳлиллари келтирилган. Олдиндан белгиланган махсус ҳусусиятларга эга бўлган МОЯ турдаги қурилмаларни, улар асосида интеграл схемаларни хосил қилиш учун уларни таркибий қисми моддаларини мос холда танлаш, махсус киришма элементлари билан легирлашни оптимал шароитларини аниқлаш зарур эканлиги кўрсатилган.

MUALLIFLAR

A.Boboyev

Andijon davlat universiteti

SH.Yo'lchiyeva

Andijon davlat universiteti

V.Abduazimov

Andijon davlat universiteti

Teglar

# impurities# surface# дефект# примесь# сирт# поверхность# интеграл схема# кремний оксиди# киришма# диэлектрик қатлам# нуқсон# интегральная схема# оксид кремния# диэлектрический слой# integrated circuit# silicon oxide# dielectric layer# defect

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0049/A1219-0168

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

1. Зайнобидинов С. Полупроводниковый кремний: современное состояние и перспектива. // Узб.физ.журнал.- 2005.- Т 7, в.4.- С.237-246 2. Технология СБИС. Под.ред. С.Зи. в 2-х книгах.- М.: Мир, 1986. 3. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике.- М.: Энергия, 1977.- 368 с. 4. Парчинский П.Б., Власов С.И. Генерационные характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло. // Микроэлектроника.- 2001.- Т.30, №6.- С.403-406 5. Франкомб М.Х., Джонсон Дж. Е. Получение и свойства полупроводниковых пленок. // Тр.науч.конф. «Физика тонких пленок».- М., 1972 .- С. 140-145 6. Зайнабидинов С.З., Власов С.И., Насиров А.А. Неравновесные процессы на границе раздела полупроводник-диэлектрик.- Т.: Университет, 1995.- 112 с. 7. Йулчиев Ш.Х. Влияние легированного кремния нетрадиционными примесями и ионизирующегооблучения на характеристики границы раздела Si-SiO2.Автореф. канд. дисс.- Андижан, 2003.