1. IstratovА.А, WeberE.R.Electrical properties and recombination activity of copper, nickel and cobalt in silicon.// Арр1. Phys. А 66. 1998. Р. 123 – 136. 2. Талипов Ф.М.Влияние марганца на радиационную деградацию электрических и рекомбинационных параметров монокристалла кремния. // ФТП. 1997. 31. С. 515- 516. 3. Талипов Ф. М., Бахадырханов М. К.Исследование влияния облучения гамма-квантами на элек- трические и рекомбинационные свойства кремния, диффузионно легированного никелем // Спец. электроника. –Москва, 1986. -Вып.1. -С.67-69. 4. Бахадырханов М. К., Зайнабидинов С., Тешабаев А.Т., Ходжаев М.А.Влияние термообработки на взаимодействие атомов никеля с кислородом в кремнии. // ФТП. - 1976. - Т.10. - № 5. - С.1001-1004. 5. Бахадырханов М.К., Зайнабидинов С., Хамидов А. Некоторые особенности диффузии и электро- перенос никеля в кремнии. // ФТП. 1980. 14. С. 412 – 415. 6. Каримов М., Курбанов А.О., Зайнабидинов С., Караходжаев А.К. К вопросу термостабильности электрофизических свойств p-Si<Р,Ni> и p-Si<Р,Cu>. // Известия вузов, Физика. – 2006. –Вып.2. – С.57-61. 7. Karimov M., Tursunov N.A., Kurbanov A. at all. Infl uence of thermal processing on life-time of charge carriers in silicon doped by nickel.//Solid state physics. Tes. Rep. 8-th international conference (August 23-26, 2004). - Almaty, 2004. -P.168 8. Каримов М., Курбанов А.О., Махмудов Ш.А. Растворимость Ni и Cu в кремнии. // Труды конференции посвященной 60-летию АН РУз и Физико-технического института «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» (27-28 ноябрь 2003 г.). - Ташкент. 2003. -С. 225-228. 9. Махкамов Ш., Каримов М., Курбанов А. О. и др.Исследование влияния характера термообработки на время жизни носителей заряда в кремнии, легированном никелем. // Известия вузов. Физика. - 2005.- Вып.12.- С.80-82. 10. Махкамов Ш., Турсунов Н. А., Каримов М. и др.Исследование пр имесно-дефектных состояний в легированном кремнии.// Труды V международной научной конференции «Радиационной-термический эффект и процессы в неорганических материалах». Томск, 2006. С.244-248. 11. Махкамов Ш, Каримов М, Турсунов Н.А и др. Влияние g - квантов 60Со на фоточувствительность компенсированного кремния. // Труды 5-ой международной конференции, III том. Радиационная экология. Ядерно-физические методы в медицине и промышленности «Ядерная и радиационная физика» (26-29 сентябрь 2005) - Алматы, 2006. - С. 368-375 12. Лошаченко А.С., Вывенко О.Ф., Шек Е.И. и др.Электрически активные центры в кремнии, им- плантированном ионами кислорода.// ФТП. 2013. 47. 2. С. 251-254. 13. Лебедев А.А., Козловский В.В.О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида крем- ния.// ФТП. 2014. 48. 10. С. 1329-1331. 14. Макаренко.Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б. и др.Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород-межузельный углерод в кремнии n- и p-типа.// ФТП. 2014. 48. 11. С. 1492-1498.