1. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni, в омический при воз- действии лазерного излучения. // ФТП. -1990. – т.24. -№11. - С.2024-2028. 2. Баимбетов Ф.Б., Джумамухамбетов Н.Г. Механизм воздействия лазерных импульсов на полупро- водники А3В5. // Физика и химия обработки материалов.- 1999.- № 1.- С. 38-40. 3. Тагаев М.Б. Атермическая ультразвуковая обработка кремниевых СВЧ диодов. //ДАН Республики Узбекистан.- 1998.- №4. -С.52-54. 4. Болтовец Н.С., Исмайлов К.А., Конакова Р.В., Тагаев М.Б. Кремниевые диффузионные диоды с вольт-амперными характеристиками, близкими к идеальным. ЖТФ.- 1998.- т. 68.- № 10. - с.131-132. 5. Громошевский В., Деревенко А., Исмайлов К.А.и др. Улучшение характеристик кремниевых ЛПД при ультразвуковой обработке. -Физика и химия обработки материалов.- Москва, 1996.- № 6. 6. Дмитриев А.Г. Твердофазное разложение GaAs при действии лазерного излучения пороговой плотности. //ФТП. -1993. -Том 27. -Вып.4. -С.583-587. 7. Варшава С.С., Курило И.В., Кучма В.И. Микротвердость и хрупкость GaAs в зоне воздействия лазерного облучения. //Украинский физический журнал. -1991. –Том 36. -№10. -С.1521-1523. 8. Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Чайка Г.Е.. Влияние внешних ради- ационных, СВЧ- и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристал- лах. //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение.-1994. – вып. 2.- С. 60-72. 9. Исмайлов К.А.., Камалов А.Б., Бижанов Е.К. Влияние сверхвысокочастотного излучения на процессы структурного упорядочения в диодах с барьером Шоттки. –Узб. физ. журн. – 2011, т.13, № 5.- С.349 -353.