1.Маматкаримов О. Тензоэлектрический эффект в кремнии с глубокими уровнями и в структурах на их основе. // Док.диссерт.2003.с.251. 2. S.Suthram, J.C.Ziegert, T.Nishida and S.E.Thompsonю Piezoresistance Coeffi cients of (100) Silicon nMOSFETs Measured at Low and High (~1.5 GPa) Channel Stress. IEEE electron device letters, vol. 28, no.1,2007. 3. Семенюк А.К., Федосов А.П. Пьезосопротивление n-Ge при наличие глубоких уровней. //ФТП. 1979. –т.13. – вып.5. – С.1001-1003. 4. Абдураимов А., Бахадырханов М.К., Турсунов О.О., Илиев Х.М. Пьезо и Холл эффекты в p-Si<Mn> при ОУД. // ФТП. 1985. – т.19. – вып. 11. –С. 2052-2054. 5. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. – Киев. – Наукова думка. 1975.- 703 с. 6. Кучинский Л.В., Ломако В.М., Шахлевич Л.Н. Конфигурационно-бистабильные дефекты в кремнии. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т.43. вып.9. С.423-425. 7. Зайнабидинов С. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии.- Т.: Фан, 1984.- 160 с.