1. Зайнабидинов С. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. - Ташкент: Фан, 1984, -160 с. 2. Karimov, M., Makhkamov, S., Tursunov, N.A.,Makhmudov, S.A., Sulaimonov, A.A.The eff ect of fast neutrons on th e electrophysical properties of nuclear-doped p-silicon. // Russian Physics Journal. – 2011, -V. 54, -Issue 5, -P.589-593. 3. Yang, J., Li, X., Liu, C., Fleetwood, D.M. The eff ect of ionization and displacement damage on minority carrier lifetime // Microelectronics Reliability. – 2018, -V.82, -P.124-129. 4. Ермолов П., Карманов Д., Лефлат А., Мананков В., Меркин М., Шабалина Е. Нейтронно-наведенные эффек- ты в зонном кремнии, обусловленные дивакансионными кластерами с тетравакансионным ядром // ФТП. -Санкт- Петербург, – 2002, -Т.36, -№ 10, -С. 1194-1201. 5. Талипов Ф.М. Влияние марганца на радиационную деградацию электрических и рекомбинационных пара- метров монокристалла кремния. // ФТП. -Санкт–Петербург, 1997, - Т.31, – Вып.5, - С.515-516. 6. Ke, J., Ke, H.,Odette, G.R., Morgan, D. Cluster dynamics modeling of Mn-Ni-Si precipitates in ferritic-martensitic steel under irradiation //Journal of Nuclear Materials. – 2018, -V. 498, -P. 83-88. 7. Шейнкман М. К., Шик А. Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках // ФТП. - Санкт-Петербург, 1976, -Т.10, -№ 2, -С.209.