Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований закономерностей формообразования вольт-амперных характеристик металл-окисел-полупроводник транзисторов в схеме с общим стоком. Показано принципиальное отличие входных и выходных характеристик в схеме с общим стоком от аналогичных характеристик в схеме с общим истоком. Приводятся истоко-затворные и истоковые характеристики металл-окисел-полупроводник транзистора в схеме с общим стоком. Получены совмещенные семейства истоко-затворных и истоковых характеристик металл-окисел-полупроводник транзистора в схемах с общим истоком и стоком.