1. Люев В.К., Кармоков А.М. Коэффициент диффузии и энергии активации диффузии легирующих элементов в поверхностном слое монокристалла кремния // Современные наукоемкие технологии. – 2016. – №5 (Часть 2). – С. 262 – 265. 2. Матвеев А.В. Моделирование поверхностной сегрегации атомов в бинарных системах // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2012. – Т. 14. – № 3. – С. 358 – 376. 3. Эрвье Ю.Ю. О накоплении примеси в адсорбционном слое в процессе легирования при молекулярно – лу- чевой эпитаксии // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2013. – № 2. – С. 4 – 10. 4. Зайнабидинов С., Носиров М., Алиева Ж. О коэффициентах диффузии 3d элементов в кремнии // Узбекский физический журнал. – 2003. – №1. – С. 69 – 71. 5. Fisher D. J. Diff usion in Silicon: 10 years of research. – Zuerich-Uetikon, Switzerland: Scitec Publications, 1998 // https://www.worldcat.org/title/diff usion-in-silicon-10-years-of-research/oclc/827009415. 6. Алиева Ж.Р., Носиров М., Абдукаххорова М.А., Аббосова Н. О¥¥sion3 диффузионных параметрах примес- ных атомов V группы элементов в кремнии // Молодой ученый. – 2018. – №51 (237). – С. 1 – 3. 7. Рахимбаева М. Исследование закономерностей распределения примесей в кристаллах кремния методом математической статистики. Дисс... канд.физ.-мат.наук. – Ургенч, УрГУ имени Аль-Хорезми.– 2002.– 140 с.