В работе исследовано влияние предварительной термообработки на поведение примесей 3d-элементов, специально вводимых для модификации свойств Si. Также обнаружено взаимодействие атомов 3d-элементов с технологическими примесями - кислородом и углеродом в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.