Представлены результаты исследования термочувствитель-ности кремниевых структур с обедненной базовой областью, в которой в качестве измерительного параметра используется напряжение полного обеднения базовой области. Показано, что при определенном запирающем рабочем напряжении (Uo) происходит полное обеднение базовой области исследуемой кремниевой структуры, и измерительный потенциал от нарастающего рабочего напряжения приобретает неизменное значение, которое меняется только при изменении температуры пропорционально ей. Определена термочувствительность структуры в широком температурном диапазоне от -180оС до 180оС, которая отличается высокой линейностью с чувствительностью +2.18 мВ/оС.
MUALIFLAR
Teglar
# silicon# кремний# термочувствительность# термодатчик# обедненная базовая область# temperature sensitivity# temperature sensor# depleted base region