logo
calendar26 декабр 2019
view2
Asosiy til:Rus

СОЗДАНИЕ ФОТОДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p –CdTe–ZnSeC ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
В данной статье рассматриваются спектры фототоков в слоистой пленочной гетероструктуре CdTe – ZnSe с глубокими примесными уровнями. Из экспериментальных результатов следует, что в гетероструктуре CdTe – ZnSe наблюдается новый эффект при измерении спектров фотопроводимости в зависимости от приложенного направления электрического поля. При этом приложенное поле стимулирует возникновение фото-ЭДС

MUALIFLAR

Teglar

# рекомбинация# generation# recombination# фотопроводимость# полупроводниковая пленка# генерация# фотонапряжение# photoconductivity# semiconductor film# photovoltage

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

Физика полупроводников и микроэлектроника

public

SLIB.uz — O'zbekiston ilmiy jurnallari va maqolalar yagona tizimda ilmiy nashirlarni bir joyda ko'rish, izlash va ulardan foydalanish imkonini beruvchi zamonaviy platforma.

Ijtimoiy tarmoqlarda
instagramtelegramyoutubefacebook

Bog'lanish uchun

Manzil:Chilonzor tumani Qatortol ko'chasi 60B

Tel:+998(55)511-44-00

Savol-javob va takliflar uchun

© 2026 Barcha huquqlar himoyalangan.