Проведены исследования влияния буферного фронтального слоя на спектральную зависимость фоточувствительности гетероструктурных фотоприемников на основе поликристаллического полупроводникового бинарного соединения CdTe. Установлено, что в результате замены буферного слоя CdS на широкозонный полупроводниковый слой СdO, увеличивается спектральная фоточувствительность гетеропереходного фотоприемника на основе CdTe в коротковолновой части спектра электромагнитного излучения