26 Dekabr 2019
32Asosiy til:Rus
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo
Fan yo'nalishi:
file.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
The study concerns resistance to gamma-radiation damage of the power Schottky diodes Cr-Si. These diodes demonstrate parameters stability in the wide range of irradiation doses. Also radiation-induced shift of the non-ideality factor n had been revealed
MUALLIFLAR
M.Tagaev
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
B.Abdikamalov
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
V.Statov
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
S.Bekbergenov
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
Teglar
# надежность# silicon# reliability# кремний# барьер Шоттки# радиационные дефекты# Schottky barrier# gamma irradiation
SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika · 28 Mart 2022
Maqolani baholang
0
5
4
3
2
1
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
Физика полупроводников и микроэлектроника