30 октябр 2019
1Asosiy til:Ingliz
RESEARCH OF PROCESSES OF IMPLANTATION OF IONS IN MONOCRYSTAL GaAs (001) ON PURPOSE INCREASE IN EFFICIENCY OF SOLAR ELEMENTS
Fan yo'nalishi:
20191030075849_aaaaa.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Қуѐш элементининг фойдали иш коэффициентини ошириш мақсадида ионли имплантация жараѐни тадқиқ қилинган бўлиб, тадқиқот жараѐнида, нишон йўналиши, таркиби, бирламчи заррачаларнинг тушиш бурчаги ва бошланғич энергияси каби бир қанча ташқи факторлар ҳисобга олинган.
MUALIFLAR
Teglar
# полуканал# p-n ўтиш# ѐруғлик исрофлари# қайтиш коэффициенти# электрон-ковак# диффузия узунлиги# ионли имплантация# нишон йўналиши# киритиш коэффициенти# нимканал# фокусировка# p-n переход# световые потери# коэффициент отражения# электрон-дырка# диффузионная длина# ионная имплантация# ориентация мишени# коэффициент внедрения# p-n transition# light losses# reflex ion coefficient# an electron- hole# diffusions length# ionic implantation# target orientation# introduction coefficient# the semi channel# focusing
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
Chopra K. Thin-film solar elements / К. Chopra,; Moskva, 1986.
Resources and efficiency of use of renewed energy sources / P.P. Bezrukix. – Sankt-Peterburg: Nauka, 2002.
Physics of a firm body: the Manual / I.K. Vereofgin. / Moskva, 2001.
Bahadyrhanov M. S, Marovtsev A.S., Tachilins S.A., Research methods of solar elements, Toshkent, 2009.