logo
calendar10 Fevral 2020
view22
Asosiy til:Rus

КРЕМНИЕВЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С МАЛЫМИ Р-N ПЕРЕХОДАМИ

Fan yo'nalishi:
pdf

file.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
A model of p-n transition of micron size grown on a solar cell (SС) substrate from low-cost stable technical (or metallurgical) silicon is proposed. These SС with p-n transitions of micron size are particularly effective in the process of mass production of solar electricity, when the SE is constantly in aggressive climatic conditions

MUALLIFLAR

R.Muminov

НПО “Физика-Солнце” АН РУз

E.Imamov

Ташкентский университет информационных технологий

T.Djalalov

Ташкентский университет информационных технологий

K.Karimov

Ташкентский университет информационных технологий

Teglar

# эффективность# efficiency# Defect-free area# technical silicon# p-n junction# illuminated surface# Бездефектная область# технический кремний# р-n переход# освещенная поверхность

SHU JURNALDAGI BOSHQA MAQOLALAR

Maqolani baholang

0
0 ta baho
5
4
3
2
1

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника