Теоретически рассмотрены особенности свойств плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Анализирован более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а также – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. В частности показано, что стационарная величина концентрации неравновесных носителей пропорциональна освещенности, а воздействие плазмы дает линейное усиление фототока.