О МЕХАНИЗМЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МНОГОБАРЬЕРНОЙ ФОТОДИОДНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Проведены исследования электрофизических и фотоэлектрических характеристик многобарьерных фотодиодных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия. Зависимость темнового тока от напряжения является линейной в режиме запирания p-n-перехода до 70 В, а при прямом смещении вплоть до 300 В. На этих линейных участках зависимость тока от обратной температуры является экспоненциальной с энергией активации 0,62 эВ. Вне зависимости от освещаемой поверхности и полярности смещения исследуемый фотодиод имеет высокую чувствительность в области длин волн больших красной границы, определяемой шириной запрещенной зоны арсенида галлия. Механизм фоточувствительности соответствует фотоэмиссии неравновесных носителей заряда на переходе металл-полупроводник, что подтверждается справедливостью зависимости I1/2 ~ hv в длинноволновой области чувствительности. Определенная из этой зависимости высота барьера перехода металл-полупроводник равна 0,67 эВ