ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА a-Si:H И  ВЛИЯНИЕ ИХ НА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ  a-Si:H.

Admin bo'lib kirish (www.admin.slib.uz)

Tizim sinov (TEST) rejimida ishlamoqda! Murojat uchun @slib_support

Eski talqinga o'tish link

13 феврал 2020

Asosiy til:Rus

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА a-Si:H И ВЛИЯНИЕ ИХ НА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ a-Si:H.

Fan yo'nalishi:

5e44de1bb9a19.pdf

PDF

Namangan davlat universiteti ilmiy axborotnomasi

Maqola chop etish see more

MAQOLA ANNOTATSIYASI

:Мақолада аморф гидридланган кремний фототокида ковакли ташувшанликни механизми ва унга царакатанлик тирқишидаги тутқишларнинг таъсири фрганилган. Ковакли фототок a-Si:H асосидаги видикон мишенида олинган. Бундан ташқари ковакларни, тутқишларни ва уларнинг царакатшанлик тирқишидаги энергетик фрнини аниқлаш ушун импульсли режимида олинган фототокнинг шегараси физикавий асосланган. Олинган натижалардан рекомбиначия тури ва тутқишларни ушлаш коэффичиентини аниқлаш мумкин. Ушбу параметрлардан a-Si:H асосидаги қужш элементларини эффективлигини такомиллаштиришда фойдаланиш мумкин.

MUALIFLAR

Teglar

# Аморфный гидрированный кремний# мишен видикона# дырошные ловушки# инерчионность фототока# энергетишеское положения ловушек# щель подвижности# чентры прилипания# люкс-амперные характеристики.# Hydrogenated Amorphous Silicon# Target of Vidicon device# hole currency# the inertia of photocurrent# the energetic position of ca# mobility strip# mobility groove# the centre of handholds# the characteristic of Lux – Amp# гидридланган аморф кремний# видикон нишони# коваклар тутқиши# фототокни инерчиявийлиги# тутқишларни энергетик цолати# царакатшанлик тирқиши# жпишиш марказлари# люкс-ампер царактеристикаси..

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0220-0035

DOI:

Mavjud emas

Foydalanilgan adabiyotlar

Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, Ye.V. Malg’chukova, I.O. Sokolovskiy. FT’, 2015, t. 49, vq’. 5, s. 697-706.

Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobqlg’, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, V.N. Verbitskiy, S.A. Kudryashov, K.V.Emtsev, I.O.Sokolovskiy. FT’, 2015,tom 49, vq’.5, s. 707-714.

V. ‘. Afanasg’ev, Ye. I. Terukov, A. A. SHerchenkov. Tonko’lenochnqe solnechnqe elementq na osnove kremniya. 2-e izd., C.-’eterburg: S’bGETU «LETI», 2011.

A.I. ‘o’ov. Amorfnqe ‘olu’rovodniki v mikro- i nanoelektronike. Jurnal «Vestnik RGRTU», № 4, 2009.

Raximov N., Babaxodjaev U.S., Mavlyanov X., Ikramov R. FT’, 2001, №8., s. 948-950.

O.A. Golikova, Letters in ZHTN 15, 85 (1989)

Y. Shimomoto et al. In: ‘roc. 13th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.263.

A. Rose. Fundamentals of the theory of ‘hotoconductivity (Moscow, Science, 1966), ‘.190

S.M. Ryvkin. ‘hotoelectric ‘henomena in semiconductors (Moscow, Science, 1963), ‘.654.

T. Hamona et al. In: ‘roc. 13-th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.245

Y. Hamakava. Amor’hous semiconductors and devices based on them (Moscow, Metallurgy, 1986), ‘.375

O.A.Golikova, U.S. Babakhodzhayev, M.M.Kazanin, M.M. Mezdrohina FT’ 25,2(1991).