logo
calendar30 октябр 2019
view2
Asosiy til:Ingliz

INTERCAPACITANCE BETWEEN TWO CHARGES LOCATED IN THE DIFFERENT ENVIRONMENTS

Fan yo'nalishi:
pdf

5db976e0a5680.pdf

PDF

MAQOLA ANNOTATSIYASI

quote
Maqolada ikkita turli muhitda joylashgan nuqtaviy zaryadlar orasidagi o`zaro sig`imning muhitlar chegarasi siljigan holda o`zgarishi o`rganilgan. Masala elektrodinamikaning tasvirlar usuli bilan tadqiq qilingan. Ikki hol o`rganilgan, birinchi holda zaryadlar chegara chizig`iga perpendikulyar bo`lgan bitta to`g`ri chiziqda joylashgan, ikkinchi holda zaryadlar yotgan chiziq chegaraga perpendikulyar emas. Tadqiqot natijasida aniqlandiki ikki holda ham muhitning siljishi zaryadlar orasidagi o`zaro sig`imning ortishiga olib keladi

MUALIFLAR

Teglar

# ѐмкость# vertikal MOY transistor# MOY transistor# sig`im# zatvor# potencial.# Вертикаль МОПТ# МОПТ# затвор# FinFET# MOSFET# capacitance# gate# potential

Maqolani baholang

0

0 ta

Maqola idintifikatorlari

Foydalanilgan adabiyotlar

Azzedin Es-Shakhi, Masud Chowdhury. Analysis of device capacitance and subthreshold behavior of Tri-gate SOI FinFET. Microelectronics Journal, 62, (2017), 30-37

Hildenburg V.B., Miller M.A., Collection of problems in electrodynamics. A manual for university students enrolled in physical areas and specialties.- M. Fizmatgiz, 2001, 168 p.

Batygin V.V., Toptygin I.N., Collection of problems in electrodynamics. M: Science, 1970.

public

SLIB.uz — O'zbekiston ilmiy jurnallari va maqolalar yagona tizimda ilmiy nashirlarni bir joyda ko'rish, izlash va ulardan foydalanish imkonini beruvchi zamonaviy platforma.

Ijtimoiy tarmoqlarda
instagramtelegramyoutubefacebook

Bog'lanish uchun

Manzil:Chilonzor tumani Qatortol ko'chasi 60B

Tel:+998(55)511-44-00

Savol-javob va takliflar uchun

© 2026 Barcha huquqlar himoyalangan.