31 октябр 2019
1Asosiy til:Ingliz
RESEARCH OF PROCESSES OF IMPLANTATION OF IONS IN MONOCRYSTAL GaAs (001) ON PURPOSE INCREASE IN EFFICIENCY OF SOLAR ELEMENTS
Fan yo'nalishi:
5dba9fa2b75b8.pdf
MAQOLA ANNOTATSIYASI
Қуѐш элементининг фойдали иш коэффициентини ошириш мақсадида ионли имплантация жараѐни тадқиқ қилинган бўлиб, тадқиқот жараѐнида, нишон йўналиши, таркиби, бирламчи заррачаларнинг тушиш бурчаги ва бошланғич энергияси каби бир қанча ташқи факторлар ҳисобга олинган.
MUALIFLAR
Teglar
# полуканал# электрон-ковак# диффузия узунлиги# ионли имплантация# нишон йўналиши# киритиш коэффициенти# нимканал# электрон-дырка# ориентация мишени# коэффициент внедрения# the semi channel# p-n ўтиш# ѐруғлик исрофлари# қайтиш коэффициенти# p-n переход# световые потери# коэффициент отражения# диффузионная длина# ионная имплантация# p-n transition# light losses# reflex ion coefficient# an electronhole# diffusions length# ionic implantation# target orientation# introduction coefficient
Maqolani baholang
0
Maqola idintifikatorlari
DOI:
Mavjud emas
Foydalanilgan adabiyotlar
[1]. Chopra K. Thin-film solar elements / К. Chopra,; Moskva, 1986.
[2]. Resources and efficiency of use of renewed energy sources / P.P. Bezrukix. – Sankt-Peterburg: Nauka, 2002.
[3]. Physics of a firm body: the Manual / I.K. Vereofgin. / Moskva, 2001
[4]. Bahadyrhanov M. S, Marovtsev A.S., Tachilins S.A., Research methods of solar elements, Toshkent, 2009.