Правила оформления статей для

журнала “Физика полупроводников и микроэлектроника”

1. В журнале публикуются статьи по следующим направлениям:

Физика полупроводников;

Полупроводниковая микроэлектроника;

Полупроводниковое материаловедение;

Радиационная физика полупроводников;

Гелиофизика и альтернативные источники энергии.

Правила подготовки рукописей ориентированы на компьютерный набор.

2. В статье по порядку приводится следующая информация:

- УДК;

- название статьи;

- фамилии авторов, должность, звание и степень авторов, название организации, где была выполнена работа, а также адрес, электронная почта и контактный телефон авторов, с которыми редакция связывается при необходимости;

- аннотации на русском и английском языках одинакового содержания объемом 7-10 строк, но не менее трех предложений;

- ключевые слова (словосочетания), отражающие специфику статьи не более 10 слов-на русском и английском языках;

-текст статьи;

-список использованной литературы.

3. Статьи, содержащие результаты работ, проведенных в учреждении, должны обязательно иметь направление учреждения. Если коллектив авторов включает сотрудников разныхучреждений, то следует указать место работы каждого автора.

4. Журнал принимает статьи объемом не менее 3 и не более 5 стр., включая не более 4 рисунков.

5. Сканированная копия статьи, подписанная всеми авторами, направляется в редакцию по электронной почте и должна сопровождаться экспертным заключением (только для авторов из РУз).

6. При направлении статьи в редакцию все рисунки направляются отдельными файлами в формате .jpg или .bmp

7. Электронные версии статей, подготовленные в формате Word for Windows (не ниже версии 2007) с расширением .docx, присылаются по электронной почте ispm_uz@mail.ru, (director@ispm.uz в копии). Текст следует набирать шрифтом Times New Roman 12pt, интервал 1,5.

Поля: слева 3 см, вверху и внизу по 2.5 см, справа 2 см; текст выравнивается по ширине, а формулы - с использованием встроенного редактора формул (в редакторе Word перейти на вкладку «Вставка», затем на вкладку «Формула»). Уменьшенный шрифт (петит) в представляемой рукописи не используется нигде.

В целях упорядочения присылаемой по электронной почте информации, файл с текстом статьи, а также графические файлы следует поместить в одну папку, которая архивируется в файл в формате ZIP или RAR. Название этого файла именуется фамилией первого автора.

8. Рекомендуется придерживаться следующей структуры текста статьи:

- Введение,

- Область исследования,

- Методика эксперимента,

- Экспериментальные результаты,

- Обсуждение результатов,

- Заключение.

9. Не следует употреблять сокращений (аббревиатур) в заглавии статьи и аннотации. Не начать заглавие статьи с артикля, если статья на английском языке. В тексте статьи все сокращения должны быть расшифрованы при первом упоминании, даже если употребляемое сокращение является общепринятым, например, вольт-амперная характеристика (ВАХ).

10. Библиографическое оформление списка литературы в статьях, представляемых в журнал, должно строго соответствовать международным стандартам и требованиям журнала Nature.

Примеры оформления в стиле Nature:

Книга: Author, A. B. Book Title (Publisher, Year).
Пример: Sze, S. M. & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices (John Wiley & Sons, 2006).
Научная статья: Author, A. B. & Author, C. D. Title of the article. Abbreviated Journal Name volume number, page–page (year).
Пример: Smith, J. A. & Johnson, B. C. Advances in semiconductor physics. Nat. Mater. 15, 123–130 (2020).
Материалы конференции: Author, A. B. Title of paper. In Title of Conference Proceedings page–page (Publisher/Location, Year).
Пример: Ivanov, I. I. Quantum efficiency in solar cells. In Proc. 5th Int. Conf. on Semiconductor Physics 45–50 (Tashkent, 2022).
Интернет-ресурс: Title of Webpage. Website Name URL (Year/Date of access).
Пример: Solar Cell Efficiency Tables. National Renewable Energy Laboratory https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html (2023).

11. Издательство имеет право вносить необходимую корректуру в рукопись: аннотацию, ключевые слова список литературы без согласования с автором, а также тексты переводов на английский язык.

12. Для опубликования в журнале принимаются статьи в соответствии с тематикой журнала.

Примечание. При отправке статьи на публикацию в журнал “Физика полупроводников и микроэлектроника” автор делегирует редакции журнала права на публикацию статьи, а также гарантирует оригинальность содержания статьи. Если материалы статьи нарушают авторские права третьих лиц, ответственность лежит на авторе статьи. Автор несет персональную ответственность за содержание и оформление предоставляемых к публикации материалов.

Редакция не выплачивает авторам денежные вознаграждения за предоставленные для публикации материалов.

2021, Том 3, Выпуск 3

Tegishli maqolalar

Maqolalar topilmadi