logo
calendar4 Noyabr 2021
view27
Main language:Russian

ВЛИЯНИЕ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ НА МЕХАНИЗМ ТОКОПРОХОЖДЕНИЯ pSi-nSi1-xSnx - ПЕРЕХОДАХ

Field of Science:
pdf

61837251b29ec.pdf

PDF

Scientific Bulletin of Namangan State University

Scientific Bulletin of Namangan State University

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
In this article presents the results of the study of the mechanisms of the current passage of the pSi-nSi1-xSnx (0х0.04)-structure, which is explained in the framework of the «model of the formation of defects and defect-impurity complexes».

AUTHORS

X.Madaminov

Andijan State University

Tags

# injection# инжекция# вакансия# vacancy# рекомбинационный центр# неравновесные носители# скорость рекомбинации..# recombination center# noequilibrium carriers# recombination rate..# рекомбинациявий марказ# номувозанатий ток ташувчилар# рекомбинация тезлиги..

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A1121-0011

DOI:

Not Available

References

C.З.Зайнабидинов, Р.Алиев, М.Муйдинова, Б.Урманов. Об оптической эффективности кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии. Гелиотехника. 2018. №5, - С. 3.

А.С.Саидов, Ш.Н.Усмонов, М.У.Каланов, Х.М.Мадаминов. Структурное и фотоэлектрическое исследование эпитаксиального слоя Si1-xSnx. Письма в журнал технической физики. 2010, Т. 36, № 9. с. 107.

A.Yu.Leiderman, V.G.Stel’makh, M.Sadykov. Recombination in Semiconductors with Deep Impurities. Applied Solar Energy, 2008, Vol. 44, No. 4, pp. 276–280.

А.С.Саидов, C.З.Зайнабидинов, Ш.Н.Усмонов, Х.М.Мадаминов. Особенности вольтамперных характеристик pSi-nSi1-xSnx (0  х  0.04) структур. Вестник ГулГУ, 2011, №3, стр.5.

А.Ю.Лейдерман. Новый механизм насыщения токов короткого замыкания в фотолементах при концентрированном солнечном излучении. Гелиотехника. 2003. №3, - С. 16.

Ш.Н.Усмонов, А.С.Саидов, М.С.Саидов, А.Ю.Лейдерман, К.А.Аманов. Аномальная температурная зависимость вольтамперных характеристик pSi-n(Si2)1- x(ZnSe)x структур. Гелиотехника. 2009. №3, - С. 26.

Kh.M.Madaminov. The Effect of Recombination through Vacancies on the Type of Current-Voltage Characteristics of pSi-nSi1-xSnx – Structures. Journal of Science and Engineering Research. № 11 (5), 2018, pp. 97-101.