logo
calendar4 Noyabr 2021
view27
Main language:Russian

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ХАРАКТЕРА ТЕРМООБРАБОТКИ НА ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ МЕДОМ

Field of Science:
pdf

618375a4e6d02.pdf

PDF

Scientific Bulletin of Namangan State University

Scientific Bulletin of Namangan State University

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
The dependence of the lifetime of charge carriers ()in monocrystalline silicon on the concentration of light copper and post-diffusion cooling is discussed. The results obtained are explained by the redistribution of non-basic carriers at the adhesion level. In the compensated pSi and the control p-Si, the relaxation process occurs in different wasy   98s for pSi, and  5s for p-Si.At the same time ,with the growth of te initial concentration of charge carriers (in this case boron-B ) in the compensated silicon, an increase (with equal values ) is observed, which is due to a different degree of micro –uniformity in conductivity in the studied samples.

AUTHORS

J.Mirzaraimov

, Namangan Engineering and Technology Institute

Tags

# диффузия# silicon# кремний# термообработка# мис# heat treatment# potential barrier# глубокоуровневые центры# термоотжиг# примесный дефект# потенциальный барьер# микронеоднородность..# deep-level centers# heat annealing# impurity defect# microinhomogeneity..# крeмний# микрохархиллик# термик ишлов# яшаш вақти.

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A1121-0139

DOI:

Not Available

References

Е. А. Татохин, А. В. Буданов, И. Ю. Бутусов, Л. В. Васильева, Е.А. Тутов. Вестник ВГУ, серия: Физика. математика, 2008, № 2. С. 60-70.

В.И.Фистуль. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984. C. 352.

Юнусов М.С., Каримов М., Джалелов М.А. ФТП. Санкт–Петербург, 2001. Т- 35. №3. С. 317-320.

Влияние примеси меди на электрофизические и рекомбинационные свойства кремния при термо- и радиационном воздействии: диссертасия ... кандидата физико - математических наук: 01.04.07 / Махмудов Шерзод Ахмадович; [Место защиты: ИЯФ АН РУз ].- Ташкент, 2012. - 126 с.

А.Милнс. Примеси сглубокими уровнями в полупроводниках /Под ред. док. физ .- мат. наука М.К.Шейнкман. Мир, М.(1977) 502 с.

Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н.А., Махмудов Ш.А., Бегматов К.А., Караходжаев А.К., Садиков А.Х. Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора // Известия вузов. Физика. 2009 г., № 5. С. 9-12.

М.Ю. Ташметов, Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, Б.Ж. Абдурайимов. Фотодатчики на основе нейтронного легированного кремния. Гелиотехника, 2018. Вып. 6. С. 61-64.

Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А. Физика и техника полупроводников. 2019, выпуск 6, С. 810.

М.Каримов, А.К.Караходжаев. Известия вузов. Физика, 7, 54 (2001).

А.А. Istratov , E.R. Weber. Арр1. Phys. А 66, 123 (1998).

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Гусев А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом.Журнал. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. №5 (2), С. 335-338

Джуплин В.Н. Дефектообразование в кремнии под пленками никеля при термообработке. Журнал «Известия ЮФУ. Технические науки» 2000 г.№5, С. 16-21.

С.З.Зайнабидинов, Х.С.Далиев. Дефектообразование в кремнии. Университет, Ташкент (1993) 190 с.

С.Зайнабидинов. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. Фан,Ташкент (1984) 168 с.

D.V. Lang . J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)