logo
calendar11 Aprel 2022
view58
Main language:Russian

SPECTRAL AND PHOTOELECTRIC CHARACTERISTICS OF THREE-BARRIER PHOTODIODE STRUCTURES AND THEIR PRODUCTION METHODS

Field of Science:
pdf

6253b076b1123.pdf

PDF

SCIENCE AND INNOVATIVE DEVELOPMENT

SCIENCE AND INNOVATIVE DEVELOPMENT

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
The paper describes the methods of obtaining three barrier photodiode structures based on the semiconductor compounds АIIIВV and АIIВIV, their technological stages, as well as physical properties and technological features. It studies the current transport mechanism in the three-barrier photodiode Au-p(AlGa)0.95In0.05As-nGaAs: O-Ag structure determined by generation processes involving impurity levels and electron capture by impurity centers, as well as by the generation of minority carriers in the space charge region of the barriers to be blocked, in particular three-barrier photodiode Au-pAlGaInAs-nGaAs-Ag structures based on varying the amount of indium in the heterolayer depending on its functional purpose.

AUTHORS

L.Zoirova

Navoi davlat konchilik instituti

F.Xashimova

Navoi davlat konchilik instituti

Tags

# концентрация# concentration# гетеропереход# подложка# substrate# пленка# таглик# heterojunction# tape# арсенид галлия# уч тўсиқли фотодиод# яримўтказгичли аралашмалар# технологик хусусиятлар галлий ар# гетероген қатлам# гетероген ўтиш# трехбарьерный фотодиод# полупроводниковые примеси# технологические свойства# гетерослой# three barrier photodiode# semiconductor admixture# technological characteristics# arsenide gallium# heterolayer

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0094/A0422-0040

DOI:

Not Available

References

Вяткин А.П., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs // Вестник Томского государственного университета. – Томск, 2005. –№ 1. – С. 121-128.

Аверин С.В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером // ЖТФ. – СПб., 2004. – Т. 74. – № 6. – С.51-56.

Karimov A.V., Karimova D.A. Three-junction Au/AlGaAs(n)-GaAs(p): Agphotodiode// Materials Science in Semiconductor Processing. – February-June 2003. – Vol. 6. – Issues 1-3. – Pр. 137-142.

Каримов А.В., Ёдгорова Д.М. Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах // ФТП. – СПб., 2010. – Т. 44. – № 5. – С. 674-679.

Корольков В.И., Рожков А.В., Петропавловская Л.А. Высоковольтные арсенидгаллиевые диоды с субнаносекундными временами восстановления блокируюшего напряжения // Письма в ЖТФ. – СПб., 2001. – Т. 27. – № 17. – С. 46-50.

Атабаев И.Г. Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-pSiGe, Au-nSiGe / Атабаев И.Г., Матчанов Н.А., Хажиев М.У., Пак В., Салиев Т.М. // ФТП. – СПб., 2010. – Т. 44. – Вып. 5. – С. 631-635.

Ёдгорова Д.М. Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений АIIIВV / Ёдгорова Д.М., Каримов А.В., Гиясова Ф.А., Саидова Р.А. // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2007. – № 3. – С. 56-58.