logo
calendar13 Iyul 2022
view22
Main language:Uzbek

ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si

Field of Science:
pdf

file.pdf

PDF

Scientific Reports of Fergana State University

Scientific Reports of Fergana State University

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
The necessary conditions for existing of optic spectral memory- existing of asymmetric micropotential barriers and deep catchers are easily realized in geterostructure p- CdTe - SiO2 - Si. The relaxation time of memorizing ability comprises 25 days. The geterostructure can be used as optoelectronic spectral cell of memory, enabling not only to memorize sygnals but also to sum them

AUTHORS

Tags

# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# : фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# ток короткого замыкания# спектральная память# micropotential barrier# current of shortcut circuit# photosensibility# spectral memory# optical detector

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0106/A0722-0141

DOI:

Not Available

References

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).

1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)

2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ

4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр