logo
calendar14 Iyul 2022
view26
Main language:Russian

ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si

Field of Science:
pdf

file.pdf

PDF

Scientific Reports of Fergana State University

Scientific Reports of Fergana State University

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
The necessary conditions for existing of optic spectral memory- existing of asymmetric micropotential barriers and deep catchers are easily realized in geterostructure p- CdTe - SiO2 - Si. The relaxation time of memorizing ability comprises 25 days. The geterostructure can be used as optoelectronic spectral cell of memory, enabling not only to memorize sygnals but also to sum them.

AUTHORS

S.Otajonov

National Universitet of Uzbekistan

N.Alimov

National Universitet of Uzbekistan

G.Hayitova

National Universitet of Uzbekistan

Tags

# ток короткого замыкания# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# спектральная память# micropotential barrier# photosensibility# spectral memory# optical detector# current of shortcut circuit

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0106/A0722-0142

DOI:

Not Available

References

1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)

2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).

4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр.