logo
calendar21 Iyul 2022
view30
Main language:Russian

MORPHOLOGICAL STUDIES of n-Si-р-(SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y HETEROSTRUCTURES

Field of Science:
pdf

62d8d488407ec.pdf

PDF

Scientific Bulletin of Namangan State University

Scientific Bulletin of Namangan State University

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
The possibility of obtaining the solid solution (SiGe)1-x-y(GaAs)x(ZnSe)y with quantum dots by liquid-phase epitaxy method from the tin solution-melt is shown, as well as controlling their production parameters, effective and accessible solar cell on basis of Si and its solid solutions.

AUTHORS

SH.Yulchiev

Андижон давлат университети

Tags

# полупроводник# film# твердый раствор# гетероструктура# яримўтказгич# semiconductor# пленка# жидкофазный# liquid-phase# суюқ фаза# юпқа# нанокристал гетеротузилма# қаттиқ аралашма# нанокристалл# nanocrystal# heterostructures# solid solution

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0722-0011

DOI:

Not Available

References

Saidov A.S., Zainabidinov S.Z., Kalanov M.U., Boboev A.Y., Kutlimurotov B.R. Applied Solar Energy. 2015, Volume 51, Issue 3, pp 206-208.

Марончук И.Е., Марончук А.И., Кулюткина Т.Ф., Найденкова М.В., Чорный И.В. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования/- № 12:- 97 (2005).

Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д., ФТП, 1998. 32, № 4. 385-411.

Рухленко, И.Д. Динамика спектроскопических переходов в квантовых точках, встроенных в полупроводниковые гетероструктуры. Дис... канд. физ.-мат. наук, Санкт-Петербург: 2006. 157 с.

Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногетероструктур на основе соединений III-V. Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2012. Том 10 № 1. С. 77-88.

Boboev A.Y. et al. Photoelectric proper tric properties of n-GaAs–p-(GaAs)1-x(Ge2) heterostructures with germanium nanocrystals. Scientific Bulletin of Namangan State University. 2020. Vol.2(1) pp. 58-62.

Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур.- М/: Физматлит: 2009.

Zainabidinov S.Z., Saidov A.S., Leiderman A.Yu., Kalanov M.U., Usmonov Sh.N. and Boboev A.Yu. Semiconductors, 2016, Vol. 50, No. 1, pp. 59–65.