logo
calendar22 Yanvar 2023
view56
Main language:Russian

MODELING THE INFLUENCE OF TEMPERATURE ON ELECTRON LANDAU LEVELS IN SEMICONDUCTORS

Field of Science:
pdf

63ccd0b7a8632.pdf

PDF

Scientific Bulletin of Namangan State University

Scientific Bulletin of Namangan State University

Publish Articlesee more

ARTICLE ANNOTATION

quote
This article was the first to theoretically determine the dependence of the density of energy states on temperature in a quantizing magnetic field. Mathematical modeling of processes using experimental values of a continuous spectrum of density of states is carried out, the possibility of calculating discrete Landau levels is shown

AUTHORS

U.Erkaboyev

Наманганский инженерно-технологический институт

R.Raximov

Наманганский инженерно-технологический институт

Tags

# полупроводник# semiconductor# Landau levels# запрещенная зона# band gap# уровней Ландау# квантующем магнитном поле# yarimo’tkazgich# Landau sathlari# kvantlovchi magnit maydoni# ta’qiqlangan zona# quantum magnetic fields

OTHER ARTICLES IN THIS JOURNAL

Rate Article

0
0 ratings
5
4
3
2
1

Article Identifiers

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0123-0025

DOI:

Not Available

References

Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. – Москва, Физматлит. 2007. - 632 С

Баграев Н.Т., Брилинская Е.С., Кляшкин Л.Е., Маляренко А.М., Романов В.В. Эффекты Шубникова-де Гааза и де Гааза-ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - Санкт-Петербург, 2011. -№ 4(134). - С. 7-11

Гулямов Г., Шарибаев Н. Определение дискретного спектра плотности поверхностных состояний МОП структур Al-SiO2-Si облученных нейтронами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследование. -Москва, 2012. -№9, -С. 1-5

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // Физика и техника полупроводников. – Санкт-Петербург, 2011.- Т.45, вып 2. - С.178-182

Шарибаев Н.Ю. Математическое моделирование определения плотности поверхностных состояний на границе раздела SiO2-Si в приборах с зарядовой связья: Дис. < канд. физ. - мат.наук. – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2011. -119 с

Gulyamov G., Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field // Joural of Modern Physics. - USA. 2014. –Vol. 5, No.8. –P.680-685