STRUCTURAL FEATURES OF SOLID SOLUTIONS (InSb)1-x(Sn2)x FILMS GROWN FROM A LIQUID PHASE ON GaAs SUBSTRATES AND SOME PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF HETEROSTRUCTURES ON THEIR

Layers of solid solutions (InSb)1-x(Sn2)x on (100) GaAs and (100) GaP substrates were grown by liquid phase epitaxy from an indium melt solution. The solid solution (InSb)1-x(Sn2)x (0 х 0.05) had a mono-crystal structure with the orientation (100), constant of the lattice as.s. = 6.486 Å and the hole conductivity type. The spectral dependence of the absorption coefficient was used to estimate the band gap of the epitaxial layer of the solid solution, which was 0.11 eV.The spectral photosensitivity of n-GaAs–p-(InSb)1-x(Sn2)x and n-GaP–p-(InSb)1- x(Sn2)x heterostructures covers the wavelength range from 1.0 to 5.3 μm.

Методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора расплава выращены слои твердых растворов (InSb)1-x(Sn2)x на GaAs(100) и GaP(100) подложках. Твердый раствор (InSb)1-x(Sn2)x (0 х 0.05) имел монокристаллическую структуру с ориентацией (100), с параметром решетки as.s. = 6.486 Å и дырочной проводимости. Для оценки ширины запрещенной зоны эпитаксиального слоя твердого раствора, которая составляла 0,11 эВ, использовалась спектральная зависимость коэффициента поглощения. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-GaAs–p-(InSb)1-x(Sn2)x и n-GaP–p-(InSb)1-x(Sn2)x охватывает диапазон длин волн от 1,0 до 5,3 мкм.

Суюк фазали эпитаксия усули билан индийли эритмадан GaAs(100) ва GaP(100) тагликларига (InSb)1-x(Sn2)xқаттиқ қотишманинг катламлари ўстирилди. InSb)1-x(Sn2)x (0 х 0.05) қаттиқ қотишма (100) ориентацияли, as.s.= 6.486 Å панжара доимийли монокристалл, ковакли ўтказувчанликли структурага эга. Қаттиқ котишманинг эпитаксиал қатламларини 0,11 эВ га тенг тақикланган зонасини кенглигини бахолаш учун ютилиш коэффициентини спектрал боғланишидан фойдаланилди. n-GaAs–p- (InSb)1-x(Sn2)x ва n-GaP–p-(InSb)1-x(Sn2)x гетероструктураларни спектрал фотосезгирлиги тўлқин узунлигининг 1,0 дан 5,3 мкм гача бўлган диапазонини эгаллайди.