30

В этой работе показана результаты исследовании кремниевой пластины в которую внедрены примесные атомы никеля и фосфора методом диффузионного легирования. Исследование методом Ван дер Пау показал, что удельное сопротивление образцов ρ=0,14 Ω·cm, концентрация дырок np=9·1017/cm-3, подвижность μp=51 cm2/v·s. Топографические снимки электростатической силовой микроскопии показали, что на поверхности пластины наблюдается нанокластеры примесных атомов размером от 50 до 500 нм

  • Read count 30
  • Date of publication 01-08-2024
  • Main LanguageRus
  • Pages1194-1195
Русский

В этой работе показана результаты исследовании кремниевой пластины в которую внедрены примесные атомы никеля и фосфора методом диффузионного легирования. Исследование методом Ван дер Пау показал, что удельное сопротивление образцов ρ=0,14 Ω·cm, концентрация дырок np=9·1017/cm-3, подвижность μp=51 cm2/v·s. Топографические снимки электростатической силовой микроскопии показали, что на поверхности пластины наблюдается нанокластеры примесных атомов размером от 50 до 500 нм

Name of reference
1 [1]Paul Narchi. Investigation of crystalline silicon solar cells at the nano-scale using scanning probe microscopy techniques. Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université Paris Saclay (COmUE), 2016. English. [2]Hosung Seo, Dan Goo, and Gordon Jung Park Systems Corp., Suwon, Korea, How to obtain sample potential data for KPFM measurement, Park Atomic Force Microscopy Application note #18.[3]Hai-Tong Sun, Zheng-Hao Li, Jing Zhou, You-Yuan Zhao, Ming Lu, An electrostatic force microscope study of Si nanostructures on Si(100) as a function of post-annealing temperature and time, Applied Surface Science, Volume 253, Issue 14, 2007, Pages 6109-6112, ISSN 0169-4332, https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.01.012.[4]Paul Narchi, Gennaro Picardi, R. Cariou, Martin Foldyna, Patricia Prod'homme, Pere Cabarrocas. (2015). Kelvin Probe Force Microscopy Study of Electric Field Homogeneity in Epitaxial Silicon Solar Cells Cross-Section. 10.4229/EUPVSEC20152015-3BO.6.1
Waiting