521

Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка имеет сфалеритную структуру и является монокристаллической с ориентацией (100). Параметр кристаллической решетки пленки составлял af = 0,56697 нм. Атомно-силовым микроскопом показано, возможности получения полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии

  • Read count 0
  • Date of publication 28-02-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages11-14
English

X-ray diffraction studies showed that the resulting film has a sphalerite structure and is single-crystal with the (100) orientation. The lattice parameter of the film is       af = 0.56697 nm. An atomic force microscope has shown the possibility of obtaining a semiconductor heterostructure with quantum dots by the method of liquid phase epitaxy.

Русский

Рентгенодифракционное исследование показало, что полученная пленка имеет сфалеритную структуру и является монокристаллической с ориентацией (100). Параметр кристаллической решетки пленки составлял af = 0,56697 нм. Атомно-силовым микроскопом показано, возможности получения полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми точками методом жидкофазной эпитаксии

№ Author name position Name of organisation
1 Zainabidinov S.Z. д.ф.-м.н., академик, Andijan State University
2 Mansurov X.J. . доцент Andijan State University
3 Boboev A.Y. PhD, преподаватель Andijan State University
4 Makhmudov K.A. докторант Andijan State University
№ Name of reference
1 Физика полупроводников и микроэлектроника
Waiting