Методом DLTS исследованы процессы дефектообразования в кремнии, легированном гадолинием. Показано, при диффузионное введение Gd в Si приводит к образованию глубоких уровней с энергиями ионизации Ec-0.23 эВ, Ec-0.35 эВ, Ec-0.41эВ и Ec-0.54 эВ и сечениями захвата электронов sn: 4?10-17см-2, 2?10-15см2, 1.1?10-16см2 и 1.5?10-15см2, соответственно, а в образцах p-Si<Gd> обнаружен только один уровень с Ev+0.32 эВ.
The processes of formation of defects in silicon, doped with gadolinium are investigated by the method of DLTS. It is shown that in diffusion the introduction of Gd in the Si leads to the formation of deep levels with ionization energies Ec-0.23 eV, Ec-0.35 eV, Ec-0.41 eV and Ec-0.54 eV and a capture cross section of electrons sn: 4?10-17cm-2, 2?10-15 cm2, 1.1?10-16 cm2 and 1.5?10-15 cm2, respectively, and in samples p-Si<Gd> found only one level with Ev+0.32 eV.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev K.S. | Doctor of Physical and Mathematical Sciences (DSc), Dean of the Faculty of Physics | National University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek |
| 2 | Erguliev U.K. | ||
| 3 | Norkulov S.B. | ||
| 4 | Ergashev J.A. |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |