ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ И МАРГАНЦЕМ

Методом инфракрасной спектроскопии изучены процессы дефектообразования в кремнии, легированном оловом и марганцем и их взаимодействия с неконтролируемыми примесями. Обнаружено, что присутствие примесей переходных и изовалентных элементов приводит к уменьшению концентрации технологических примесей - кислорода и углерода. Установлено, что введение марганца в Si<Sn> приводит к сильному уменьшению концентрации междоузельного оптически активного кислорода N_O^опт: в быстро охлажденных образцах Si<Sn, Mn> наблюдается уменьшение N_O^опт на  50%   по сравнению с исходным  Si.

he processes of defect formation in silicon doped with tin and manganese and their interaction with uncontrolled impurities were studied by infrared spectroscopy.
It was found that the presence of impurities of transition and isovalent elements leads to a decrease in the concentration of process impurities - oxygen and carbon. It was found that the introduction of manganese in Si<Sn> leads to a strong decrease in the concentration of interstitial optically active oxygen Noopt: in rapidly cooled samples Si<Sn, Mn> there is a decrease in Noopt by 50% compared to the original Si.