В настоящей статье рассматривается многофункциональный датчик на основе полевого транзистора с р-n-переходом. Датчик позволяет регистрировать температуру, интенсивность света, давление с высокой чувствительностью. При этом обеспечение чувствительности структуры к внешним воздействиям, практически решено за счет конструктивных изменений. Благодаря конструктивным решениям, предложенный датчик на основе полевого транзистора значительно превосходит по чувствительности аналогичные диодные структуры.
В настоящей статье рассматривается многофункциональный датчик на основе полевого транзистора с р-n-переходом. Датчик позволяет регистрировать температуру, интенсивность света, давление с высокой чувствительностью. При этом обеспечение чувствительности структуры к внешним воздействиям, практически решено за счет конструктивных изменений. Благодаря конструктивным решениям, предложенный датчик на основе полевого транзистора значительно превосходит по чувствительности аналогичные диодные структуры.
This article discusses a multifunctional sensor based on a field-effect transistor with a p-n-junction. The sensor allows to register temperature, light intensity, pressure with high level of sensitivity. At the same time, ensuring the sensitivity of the structure to external influences is practically solved due to constructive changes. Due to constructive solutions, the proposed sensor based on a field-effect transistor greatly exceeds the similar diode structures in sensitivity.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Juraev D.R. | teacher | Бухарский государственный университет |
| 2 | Karimov A.V. | ||
| 3 | Yodgorova D.M. | ||
| 4 | Turaev A.A. |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |