319

Проведены исследования нагрузочных вольтамперных характеристик солнечного фотоэлектрического модуля, на основе тонкопленочного поликристаллического полупроводникового бинарного соединения Cu(In,Ga)Se2, в условиях реального солнечного освещения (Рrad=780 ? 30 Вт/м2), в температурном интервале 25оС-50оС и определены величины последовательного и шунтирующего сопротивления. Установлено, что с увеличением температуры величины последовательного и шунтирующего сопротивления солнечного фотоэлектрического модуля уменьшается, что вероятнее всего связано с модуляцией сопротивления буферного фронтального слоя n-CdS.

  • Read count 0
  • Date of publication 28-02-2019
  • Main LanguageRus
  • Pages51-53
Русский

Проведены исследования нагрузочных вольтамперных характеристик солнечного фотоэлектрического модуля, на основе тонкопленочного поликристаллического полупроводникового бинарного соединения Cu(In,Ga)Se2, в условиях реального солнечного освещения (Рrad=780 ? 30 Вт/м2), в температурном интервале 25оС-50оС и определены величины последовательного и шунтирующего сопротивления. Установлено, что с увеличением температуры величины последовательного и шунтирующего сопротивления солнечного фотоэлектрического модуля уменьшается, что вероятнее всего связано с модуляцией сопротивления буферного фронтального слоя n-CdS.

English

 The current-voltage characteristics of the solar photovoltaic module, based on a thin-film polycrystalline semiconductor binary compound Cu(In, Ga)Se2, under real solar illumination (Prad=780 ? 30 W/m2), in the temperature range of 25 ?C-50 ?C, have been studied and the values of serial and shunt resistance are determined. It has been established that with increasing temperature, the magnitudes of the series and shunting resistance of the solar photovoltaic module decrease, which is most likely due to the modulation of the resistance of the n-CdS buffer front layer.

№ Name of reference
1 Физика полупроводников и микроэлектроника
Waiting