Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований закономерностей формообразования вольт-амперных характеристик металл-окисел-полупроводник транзисторов в схеме с общим стоком. Показано принципиальное отличие входных и выходных характеристик в схеме с общим стоком от аналогичных характеристик в схеме с общим истоком. Приводятся истоко-затворные и истоковые характеристики металл-окисел-полупроводник транзистора в схеме с общим стоком. Получены совмещенные семейства истоко-затворных и истоковых характеристик металл-окисел-полупроводник транзистора в схемах с общим истоком и стоком.
Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований закономерностей формообразования вольт-амперных характеристик металл-окисел-полупроводник транзисторов в схеме с общим стоком. Показано принципиальное отличие входных и выходных характеристик в схеме с общим стоком от аналогичных характеристик в схеме с общим истоком. Приводятся истоко-затворные и истоковые характеристики металл-окисел-полупроводник транзистора в схеме с общим стоком. Получены совмещенные семейства истоко-затворных и истоковых характеристик металл-окисел-полупроводник транзистора в схемах с общим истоком и стоком.
| № | Author name | position | Name of organisation |
|---|---|---|---|
| 1 | Toshmatov S.T. | reseacher | TATU |
| 2 | Aripov K.K. | reseacher | TATU |
| 3 | Abdullaev A.M. | reseacher | TATU |
| № | Name of reference |
|---|---|
| 1 | Физика полупроводников и микроэлектроника |