491

Publisher info

Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Phone: +998 71 248 79 94

Email: ispm_uz@mail.ru

Name 2020, том 2, выпуск 1
Journal Физика полупроводников и микроэлектроника
Volume Number 2
Published At 25/02/2020
Pages 72
Issue Number 1
Total number 6
File
Waiting
The full name of the article Language Pages View count Read count

ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 9-22 368 0

ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ СИЛЬНОКОМПЕНСИРОВАННОГО КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО СЕРОЙ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 17-27 287 0

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ ДЫРОК В РЕШЕТКАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 23-30 255 0

ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 27-39 281 0

РАЗРАБОТКА МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ СПЕКТРА В ДЕТЕКТОРАХ НА ОСНОВЕ Si(Li) СТРУКТУР ПРИ ГАММА ОБЛУЧЕНИИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 34-42 321 0