492
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 2 | ||
| Published At | 25/02/2020 | ||
| Pages | 72 | ||
| Issue Number | 1 | ||
| Total number | 6 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЕ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 39-52 | 262 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 46-55 | 213 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 54-64 | 229 | 0 |
|
DEFECTS FORMATION IN SILICON DOPE D WITH YTTERBIUM AND IRRADIATED BY ELECTRONS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 60-67 | 239 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 66-71 | 178 | 0 |