583

Publisher info

Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Phone: +998 71 248 79 94

Email: ispm_uz@mail.ru

Name 2020, том 2, выпуск 2
Journal Физика полупроводников и микроэлектроника
Volume Number 2
Published At 25/04/2020
Pages 70
Issue Number 2
Total number 6
File
Waiting
The full name of the article Language Pages View count Read count

A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 38-43 267 0

ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 44-52 231 0

ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ С УЧАСТИЕМ АТОМОВ Mn и Se

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 53-58 221 0

INVESTIGATION THE DISTRIBUTION OF DOT AND MICRODEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF ZnSe/GaAS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 59-62 124 0

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ВОЛЬТ - ЁМКОСТНЫМ МЕТОДОМ В ОБЛУЧЕННЫХ СТРУКТУРАХ pCdTe- TeO 2 -n SnO 2 у - КВАНТАМИ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 63-70 270 0