956
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2020, том 2, выпуск 2 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 2 | ||
| Published At | 25/04/2020 | ||
| Pages | 70 | ||
| Issue Number | 2 | ||
| Total number | 6 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 38-43 | 549 | 0 |
|
ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 44-52 | 467 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ С УЧАСТИЕМ АТОМОВ Mn и Se Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 53-58 | 422 | 0 |
|
INVESTIGATION THE DISTRIBUTION OF DOT AND MICRODEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF ZnSe/GaAS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 59-62 | 307 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 63-70 | 549 | 0 |