Name | 2020, том 2, выпуск 2 | ||
Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
Volume Number | 2 | ||
Published At | 25/04/2020 | ||
Pages | 70 | ||
Issue Number | 2 | ||
Total number | 6 | ||
File |
The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
---|---|---|---|---|
A COMPOSITE PHOTODETECTOR BASED ON THE PHOTODIODE AND AVALANCHE TRANSISTOR AND AVALANCHE TRANSISTOR Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 38-43 | 267 | 0 |
ФОРМИРОВАНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНКИ СИЛИЦИДА РУБИДИЯ ПОЛУЧЕННОЙ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИЕЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 44-52 | 231 | 0 |
ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ С БИНАРНЫМИ НАНОКЛАСТЕРАМИ С УЧАСТИЕМ АТОМОВ Mn и Se Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 53-58 | 221 | 0 |
INVESTIGATION THE DISTRIBUTION OF DOT AND MICRODEFECTS IN EPITAXIAL LAYERS OF ZnSe/GaAS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 59-62 | 124 | 0 |
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 63-70 | 270 | 0 |