345

Исследована  температурная  зависимость  генерационные 
характеристики  границы  раздела  полупроводник-диэлектрик.  Указано,что  в  ходе 
формирование  заряда  инверсионного  слоя  основной  вклад  вносит  обьемная  и 
поверхностная генерация. 

  • Internet ҳавола 3-6
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 07-01-2021
  • Ўқишлар сони 341
  • Нашр санаси 06-01-2021
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони
Русский

Исследована  температурная  зависимость  генерационные 
характеристики  границы  раздела  полупроводник-диэлектрик.  Указано,что  в  ходе 
формирование  заряда  инверсионного  слоя  основной  вклад  вносит  обьемная  и 
поверхностная генерация. 

Ўзбек

Яримутказгич-диэлектрик  чегара  булимида  генерация 
характеристикаларига  температура  тасири  урганилган.Инверс  катламда  заряд 
шаклланиш тезлигига асосий улушни хажмий ва сиртий генерациялар беради. 

English

Abstract.In  this  manuscript,  the  temperature  dependence  of  the  lasing 
characteristics of the  interface semiconductor-insulator was  theoretically  investigated. Provided 
that, during the formation of the inversion-layer charges of the main contribution of volumetric 
and surface generation.

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Qochqarov .X.
2 Nishonov ..
3 Qochqarov X. .
№ Ҳавола номи
1 Berman L.S.Lebedev A.A.Emkostnaya spektroskopiya glubokix sentrov v poluprovodnikax.Leningrad.Nauka.1981.184 s.
2 Zerbst M.Ralaxation effects on holbeiter isolator- grenzflochen.Zangew.Phys.1962. № 30.P.22-29.
3 Abduraxmanov K.P.Berman L.S. Vlasov S.I.Kotov B.A.Issledovanie ostatochnix glubokix sentrov v strukturax metall-dielektrik-poluprovodnik yomkostnim metodom.FTP.1979 g.T.13.Vip.7.str.1447-1450.
4 Parchinskiy P.B.,Vlasov S.I.Generatsionnie xarakteristiki granitsi razdela kremniy-svinsovo-borosilikatnoe steklo. Mikroelektronika.2001.t.30.№ 6. str.466- 471
5 Kang J.S.Schroder D.K. The Pulsed MIS Capacitor.Phys.Stat.Sol.(a) 1985.89,13 ,P.13-43.
6 Vlasov S.I.,Ovsyannikov A.V.Skorost poverxnostnoy generatsii nositeley zaryada po granitse razdela poluprovodnik - steklo. Elektronnaya obrabotka materialov.2008 g.№ 1 (249) str.91-94.
7 Chistov Yu.S., Sinorov V.F. Fizika MOP-struktur.Voronej.VGU.1989.222 s.
8 Vlasov S.I., Parchinskij P.B., Ligaij L.G. Temperature Dependence of Carrier Generation at the Silicon-Lead-Borosi- licate-Glass Interface. Microelectronics. 2003. v. 32,№ 2, p. 95-98
Кутилмоқда