SIMULATION OF PARAMETERS OF nGe- pSi1-XGeX DIODE STRUCTURES ON TCAD SENTAURUS

. In this article the parameters of pSi1-xGex solid solution was simulated by using TCAD Sentaurus program. The gap dependence on composition of solid solution was carried out. A current-voltage characteristics of the structure was simulated at different composition as well as at different carrier concentration in the film

я. Бу мақолада, pSi1-xGex қаттиқ қотишмалар ва улар асосидаги диод структураларнинг параметрларини моделлаштириш амалга оширилган. Synopsys TCAD (Technology Computer Aided Design) Sentaurus дастуридан фойдаланиб, қаттиқ қотишманинг ман қилинган зона кенглигининг таркибга боғланиши, шунингдек, гетероструктура вольт ампер характеристикасининг қатламдаги заряд ташувчилар концентрацияси ва таркибга боғланиши моделлаштирилган

В этой статье проведено моделирование параметров твердых растворов pSi1-xGex и диодных структур. С использованием приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD (Technology Computer Aided Design) Sentaurus получена зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора. А также моделирована вольтамперная характеристика структуры от состава и концентрации носителей заряда в пленке.