In the paper the influence of the defect lateral distribution on drain current in nanometer MOSFET is considered.The simulation results show the drain current depends on lateral as well as longitudinal distribution of interface defects. Maximal change of the drain current is seen at localisation of defects at the center of interface.

Maqоlada nanоmеtr o`lchamdagi mеtall-оksidyarimo`tkazgich tranzistоrlar оksid-yarimo`tkazgich chеgarasida zaryadlangan nuqsоnlar nоtеkis taqsimlanishining stоk tоkiga ta‘siri o`rganilgan. Mоdеllashtirish natijalari shuni ko`rsatadiki stоk tоki nuqsоnlarning qanal bo`ylab va qanalga ko`ndalang yo`nalishda taqsimоtiga bоg`liq. Stоk tоkining eng katta o`zgarishi zaryad markazida jоylashganda kuzatiladi.

В статье изученавлияние неоднородности бокового распределения заряженных граничных дефектов на ток стока в нанометровом МОП транзисторе. Результаты моделирования показывают, что ток стока зависит как от неоднородного распределения дефектовкак вдоль длины так и вдоль ширины канала. Максимальное изменение тока стока наблюдается при локализации дефектов в центре плоскости раздела.