|
ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ И МАРГАНЦЕМ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B.,
Ergashev R.M.,
Matchonov K.J. |
Rus |
576 |
|
|
РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B.,
Fayzullaev K.M. |
Rus |
429 |
|
|
ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСЯМИ Т-ИОНОВ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Utamuradova S.B.,
Uteniyazova A..,
Fayzullaev Q..,
Naurzalieva E.. |
O'zbek |
422 |
324 |
|
ВЛИЯНИЕ БОЛЬШИХ ДОЗ ОБЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КРЕМНИИ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Utamuradova S.B.,
Uteniyazova A..,
Olimbekov Z..,
Rakhmanov D.. |
O'zbek |
406 |
311 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКИ С ФОТОЭЛЕКТРОДАМИ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ С ПЛАЗМЕННЫМИ КОНТАКТАМИ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Daliev K.S.,
Utamuradova S.B.,
Khaidarov Z.. |
Rus |
484 |
379 |
|
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B.,
Fayzullaev K..,
Olibekov Z.O.,
Khamdamov J.J. |
Rus |
409 |
|
|
STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B.,
Naurzalieva E.. |
Ingliz |
421 |
|
|
ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ - ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА ТОКА ФОТОПРИЕМНИКОВ С ПДП СТРУКТУРОЙ pCdTe-TeO2-n SnO2
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B.,
Muzafarova S.A. |
Rus |
444 |
|
|
О ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПРИМЕСЕЙ МАРГАНЦА И ЦИНКА В КРЕМНИИ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B. |
Rus |
374 |
|
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ВОЛЬТ - ЁМКОСТНЫМ МЕТОДОМ В ОБЛУЧЕННЫХ СТРУКТУРАХ pCdTe- TeO 2 -n SnO 2 у - КВАНТАМИ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B. |
Rus |
272 |
|
