Номи | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
Том рақами | 2 | ||
Нашр этилган сана | 25/02/2020 | ||
Саҳифалар сони | 72 | ||
Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 1 | ||
Умумий сони | 6 | ||
Файл |
Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
---|---|---|---|---|
ИССЛЕДОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЕ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 39-52 | 261 | 0 |
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 46-55 | 213 | 0 |
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 54-64 | 228 | 0 |
DEFECTS FORMATION IN SILICON DOPE D WITH YTTERBIUM AND IRRADIATED BY ELECTRONS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 60-67 | 237 | 0 |
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 66-71 | 178 | 0 |