483
Нашриёт ҳақида маълумот
Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Телефон: +998 71 248 79 94
Электрон почта: ispm_uz@mail.ru
| Номи | 2020, том 2, выпуск 1 | ||
| Журнал | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Том рақами | 2 | ||
| Нашр этилган сана | 25/02/2020 | ||
| Саҳифалар сони | 72 | ||
| Бу йилдаги нашр тартиб рақами | 1 | ||
| Умумий сони | 6 | ||
| Файл | |||
| Макола тўлиқ номи | Тил | Саҳифа | Кўришлар сони | Ўқишлар сони |
|---|---|---|---|---|
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ДВУХЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМЕ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 39-52 | 253 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 46-55 | 206 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 54-64 | 220 | 0 |
|
DEFECTS FORMATION IN SILICON DOPE D WITH YTTERBIUM AND IRRADIATED BY ELECTRONS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 60-67 | 232 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 66-71 | 173 | 0 |