1002

Нашриёт ҳақида маълумот

Номи:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Манзил:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Телефон: +998 71 248 79 94

Электрон почта: ispm_uz@mail.ru

Номи 2019, том 1, выпуск 1
Журнал Физика полупроводников и микроэлектроника
Том рақами 1
Нашр этилган сана 28/02/2019
Саҳифалар сони 71
Бу йилдаги нашр тартиб рақами 1
Умумий сони 6
Файл
Кутилмоқда
Макола тўлиқ номи Тил Саҳифа Кўришлар сони Ўқишлар сони

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 32-34 360 0

ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНОЙ ОБЛАСТИ СОСТАВОВ GaxIn1-xP НА ИХ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 35-37 245 0

ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МОП СТРУКТУРЫ Al-Al2O3-p-CdTe-Mo -В ПРЯМОМ НАПРАВЛЕНИИ ТОКА

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 38-40 360 0

ПРИНЦИПЫ ПОВЫШЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВИЯМ

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 45-47 486 0

ИЗМЕРИТЕЛЬ ОПТИЧЕСКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ ОПТОВОЛОКОННЫХ ЛИНИЙ СВЯЗИ И ЦИФРОВОЙ МУЛЬТИМЕТР

Физика полупроводников и микроэлектроника

Rus 48-50 432 0